โมดูลออกแบบดิจิตอล C200H-OD217

หลักการตรวจจับ: โฟโตอิเล็กทริก (เลเซอร์การปราบปรามพื้นหลัง)

ระยะการตรวจจับ: 8 m (เล็กน้อย), 1-8 m ปรับได้

แหล่งแสง: เลเซอร์ไดโอดสีแดง (660 nm, คลาส 1)

เวลาตอบสนอง: 0.3 ms สูงสุด

หลักการตรวจจับ: ความใกล้ชิดอุปนัย (การตรวจจับโลหะ)

ระยะการตรวจจับ: 8 มม. (เล็กน้อย)

เวลาตอบสนอง: 0.5 ms สูงสุด

พลังงานไฟฟ้า: 10–30 VDC

ประเภทการแสดงผล: 12.1 "TFT LCD (800 × 600 พิกเซล)

หน้าจอสัมผัส: ตัวต้านทานแบบอะนาล็อก

ความสว่าง: 300 ซีดี/ตร.ม

โปรเซสเซอร์: 400 MHz ARM Cortex-A8

คอนฟิกูเรชันการติดต่อ: DPDT (2 แบบ C)

คะแนนการติดต่อ: 1 A @ 220 VDC / 1 A @ 250 VAC

แรงดันคอยล์: 3 VDC, 5 VDC, 12 VDC หรือ 24 VDC (เลือกได้)

คอยล์เพาเวอร์: 200 MW (ทั่วไป)

คอนฟิกูเรชันการติดต่อ: 2 เสา (2 แบบ A)

คะแนนการติดต่อ: 12 A @ 240 VAC / 10 A @ 24 VDC

แรงดันคอยล์: 5 VDC/12 VDC (เลือกได้)

คอยล์เพาเวอร์: 0.4 W (5 VDC), 0.6 W (12 VDC)

หลักการตรวจจับ: โฟโตอิเล็กทริก (สะท้อนแสง)

ระยะการตรวจจับ: 4 m (เล็กน้อย), 0.1–4 m ปรับได้

แหล่งแสง: Red LED (660 nm)

เวลาตอบสนอง: 0.5 ms สูงสุด

ความต้านทานของฉนวน: 50mΩหรือมากกว่า (DC500V Megohmmeter)

ทนต่อแรงดันไฟฟ้า: AC1000V 50/60Hz 1 นาที (ระหว่างการชาร์จส่วนและที่อยู่อาศัย)

การสั่นสะเทือน (ความอดทน): 10 ～ 55Hz, แอมพลิจูด 1.5 มม. ในทิศทาง x, y, z สำหรับ 2h

ช็อต (ความอดทน): 1,000m/s²ใน x, y, z ทิศทาง 10 ครั้งแต่ละครั้ง