Sensore fotoelettrico OMRON Parti OMRON E3JM-R4M4-G 2M Tipo libero AC/DC

Principio di rilevazione: Fotoelettrico (laser, soppressione di sfondo)

Distanza di rilevamento: 8 m (nominale), regolabile a 1 ̇8 m

Fonte di luce: Diodo laser rosso (660 nm, classe 1)

Tempo di risposta: 0.3 ms max

Principio di rilevazione: Proximità induttiva (rilevamento dei metalli)

Distanza di rilevamento: 8 mm (nominale)

Tempo di risposta: 0.5 ms massimo

alimentazione elettrica: 10 ̊30 VDC

Tipo di visualizzazione: 12.1" LCD TFT (800×600 pixel)

Dispositivo touch: Resistivo analogo

Brillantezza: 300 Cd/m2

Processore: 400 MHz ARM Cortex-A8

Configurazione di contatto: DPDT (2 forma C)

Valutazione del contatto: 1 A @ 220 VDC / 1 A @ 250 VAC

Voltaggio della bobina: 3 VDC, 5 VDC, 12 VDC o 24 VDC (selezionabile)

Potenza della bobina: 200 mW (tipico)

Configurazione di contatto: 2 poli (2 modulo A)

Valutazione del contatto: 12 A @ 240 VAC / 10 A @ 24 VDC

Voltaggio della bobina: 5 VDC/12 VDC (selezionabile)

Potenza della bobina: 0.4 W (5 VDC), 0,6 W (12 VDC)

Resistenza all'isolamento: a. apparecchiature per il controllo delle emissioni di gas di scarico;

Resistere alla tensione: AC1000V 50/60Hz 1min (tra la parte di ricarica e l'alloggiamento)

Vibrazione (Endurance): 10 55 Hz, amplitudine di 1,5 mm in direzioni X, Y, Z per 2 ore

Shock (Resistenza): 1000 m/s2 in direzioni X, Y, Z, 10 volte ciascuno

Tipo di sensore: sensore di prossimità capacitivo

Distanza di rilevamento: 6×10 mm (obiettivo standard: piastra metallica a terra 50×50×1 mm)

Distanza di isteresi: 4·20% della distanza di rilevamento

Tipo di uscita: NPN-NO (normalmente aperto), a tre fili