Фотоэлектрический датчик OMRON Части OMRON E3JM-R4M4-G 2M Тип без питания

Принцип обнаружения: Фотоэлектрический (лазер, подавление фонового излучения)

Расстояние обнаружения: 8 м (номинальный), 1 ‰ 8 м регулируемый

Источник света: Красный лазерный диод (660 нм, класс 1)

Время ответа: 0.3 мс максимум

Принцип обнаружения: Индуктивная близость (выявление металлов)

Расстояние обнаружения: 8 мм (номинальные)

Время ответа: 0.5 мс максимум

питание: 10 ̊30 VDC

Тип отображения: 12.1" TFT LCD (800×600 пикселей)

Сенсорный экран: Аналоговые резистивы

Яркость: 300 cd/m2

Процессор: 400 МГц ARM Cortex-A8

Конфигурация контакта: DPDT (2 форма c)

Допустимая мощность на контактах: 1 A @ 220 VDC / 1 A @ 250 VAC

Напряжение катушки: 3 VDC, 5 VDC, 12 VDC или 24 VDC (выбирается)

Мощность катушки: 200 мВт (типичный)

Конфигурация контакта: 2 полюса (2 формы А)

Допустимая мощность на контактах: 12 A @ 240 VAC / 10 A @ 24 VDC

Напряжение катушки: 5 VDC/12 VDC (выбирается)

Мощность катушки: 0.4 W (5 VDC), 0,6 W (12 VDC)

Сопротивление изоляции: 50MΩ или более (DC500V мегомметр)

Выдерживать напряжение: AC1000V 50/60Hz 1min (между зарядной частью и корпусом)

Вибрация (выносливость): 10 55 Гц, амплитуда 1,5 мм в направлении X, Y, Z в течение 2 часов

Шок (выносливость): 1000 м/с2 в направлении X, Y, Z, по 10 раз в каждом

Тип датчика: емкостный датчик близости

Расстояние обнаружения: 6×10 мм (стандартная цель: заземленная металлическая плита 50×50×1 мм)

Дистанция гистереза: 4~20% расстояния обнаружения

Тип вывода: NPN-NO (обычно открытый), трехпроводной