Sensor fotoeléctrico OMRON Piezas OMRON E3JM-R4M4-G 2M AC/DC Tipo libre de energía

Principio de la detección: Fotoeléctricos (láser, supresión de fondo)

Distancia de detección: 8 m (nominal), 1 ̇8 m ajustable

Fuente de luz: Diodo láser rojo (660 nm, clase 1)

Tiempo de respuesta: 0.3 ms máximo

Principio de la detección: Proximidad inductiva (detección de metales)

Distancia de detección: 8 mm (nominal)

Tiempo de respuesta: 0.5 ms máximo

fuente de alimentación: 10 ¢ 30 VDC

Tipo de Pantalla: 12.1" TFT LCD (800×600 píxeles)

Pantalla táctil: Resistencia analógica

Brillo: 300 Cd/m2

Procesador: 400 MHz ARM Cortex-A8

Configuración de contacto: DPDT (2 forma C)

Grado del contacto: 1 A @ 220 VDC / 1 A @ 250 VAC

Tensión de la bobina: La velocidad máxima de la señal de encendido será de:

Potencia de la bobina: 200 mW (típico)

Configuración de contacto: 2 polos (2 formulario A)

Grado del contacto: Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e

Tensión de la bobina: La velocidad máxima máxima de la señal de encendido será de:

Potencia de la bobina: 0.4 W (5 VDC), 0,6 W (12 VDC)

Resistencia al aislamiento: Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Resiste el voltaje: AC1000V 50/60Hz 1min (entre la parte de carga y la carcasa)

Vibración (Resistencia): 10 55 Hz, amplitud de 1,5 mm en direcciones X, Y, Z durante 2h

Choque (Resistencia): 1000 m/s² en las direcciones X, Y, Z, 10 veces cada una

Tipo de sensor: sensor de proximidad capacitivo

Distancia de detección: 6×10 mm (objetivo estándar: placa metálica aterrizada de 50×50×1 mm)

Distancia de histeresis: 4·20% de la distancia de detección

Tipo de salida: NPN-NO (normalmente abierto), de tres cables